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   凝結過程是指從蒸發(fā)源中或濺射靶上被蒸發(fā)或濺射出來的原子、離子或分子人射到基底表面之后，從氣相到吸附相，再到凝結相的一個相變過程，它是薄膜形成的*個階段。
    固體表面與固體內部在晶體結構上的重大差異就是原子或分子間的化學鍵中斷。原子或分子在固體表面形成的這種中斷鍵稱為不飽和鍵或懸掛鍵。這種鍵具有吸引外來原子或分子的能力。人射到基體表面的氣相原子被這種懸掛鍵吸引住的現(xiàn)象稱為吸附。如果吸附僅僅是由原子電偶極矩之間的范德華力起作用稱為物理吸附;若吸附是由化學鍵結合力起作用則稱為化學吸附。固體表面的這種特殊狀態(tài)使它具有一種特殊的能量為表面自由能。吸附現(xiàn)象會使表面自由能減小。伴隨吸附現(xiàn)象的發(fā)生而釋放的一定的能量稱為吸附能。將吸附在固體表面上的氣相原子除掉稱為解吸，除掉被吸附氣相原子的能量稱為解吸能。
   從蒸發(fā)源或濺射靶人射到基底表面的氣相原子都有一定的能量。它們到達基片表面之后可能發(fā)生三種現(xiàn)象:
   (1)與基底表面原子進行能量交換被吸附;
   (2)吸附后氣相原子仍有較大的解吸能，在基底表面作短暫停留后再解吸蒸發(fā)(再蒸發(fā)或二次蒸發(fā));
   (3)與基底表面不進行能量交換，入射到基底表面上立即反射回去。
   吸附過程的能量曲線如圖5一I所示。當人射到基底表面的氣相原子的動能較小時，處于物理吸附狀態(tài)，其吸附能用Qp表示.當這種氣相原子的動能較大但小于或等于激活能ER時則可產生化學吸附。達到完全化學吸附的數量,Ed與凡的差值Qc稱為化學吸附能。因為Qo大于q，所以只有動能較大的氣相原子才能和基體表面產生化學吸附。當這種氣相原子具有的動能大于Ed時，它將不被基體表面吸附，通過再蒸發(fā)或解吸而轉變?yōu)闅庀?。因此Ed又稱為解吸能。